移动资讯APP“快科技”报道，面对西方国家对中国进行包括极紫外（EUV）光刻机在内的半导体设备禁运，以小芯片等先进封装技术将成熟制程的芯片组合连结后达到先进制程芯片功能的技术，成为中国突破美方科技禁运的重要路线之一，很快获得明显进展。

报道说，长电科技宣布，该公司开发的XDFOI小芯片高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段，同步实现国际客户4纳米节点多芯片系统集成封装产品出货，最大封装体面积约为1500平方毫米的系统级封装。

据了解，长电科技将充分发挥这一工艺的技术优势，在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域应用，向下游客户提供外形更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小的芯片成品制造解决方案。

国际半导体业者最初发展小芯片技术并非因为受到美国科技禁运，而是随着先进制程不断深入，随着制程工艺逐渐接近物理极限，半导体设备的技术竞争激烈，光刻机等设备价格与制造成本皆快速飙高，让业界被迫寻找新的替代技术，小芯片就是其中之一。

小芯片的概念是不执着于将所有的晶体管全部整合在一块芯片内，而是将多个功能相异的芯片通过先进封装技术整合在一起，形成一个系统芯片，如此可以不使用先进制程芯片就能达到相近的性能要求。

目前台积电、高通等半导体企业以及谷歌、微软等IT巨头在内的10家企业就小芯片技术展开合作，公开了通用小芯片互联标准，还成立了产业联盟。中国则是因为先进制程设备受到禁运，因此想借此突破美方的芯片技术封锁，更有机会在半导体产业进行弯道超车。